Главная страница
Навигация по странице:

  • Технология изготовления пассивных элементов интегральных микросхем

  • СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ

  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ 9 ВВЕДЕНИЕ

  • Комитет образования, науки и молодёжной политики Волгоградской области


    Скачать 277.21 Kb.
    НазваниеКомитет образования, науки и молодёжной политики Волгоградской области
    Дата16.10.2020
    Размер277.21 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаReferat 2.docx
    ТипРеферат
    #58031
    страница1 из 3

    Подборка по базе: Алешин Д. Позитивистская традиция философии науки.pptx, МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ.docx, Глазкова В.В. История и онтология науки_ПЗ1.docx.docx
      1   2   3

    Комитет образования, науки и молодёжной политики

    Волгоградской области

    Государственное Бюджетное Профессиональное

    Образовательное Учреждение

    «Волгоградский технологический колледж»

    Отделение (кафедра) «Автомобильный транспорт и промышленное оборудование»

    Устройство автомобилей

    Технология изготовления пассивных элементов интегральных микросхем

    Специальность: 23.02.07 Техническое обслуживание и ремонт двигателей, систем и агрегатов автомобилей

    Волгоград, 2019
    СОДЕРЖАНИЕ

    ВВЕДЕНИЕ

    3

    I. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

    3

    II. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС

    4

    III. ПРОЦЕСС СБОРКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПО ТЕХНОЛОГИИ “ПЕРЕВЕРНУТОГО КРИСТАЛЛА”

    5

    IV. ВИДЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

    6

    4.1. Пленочные ИМС

    6

    4.2. Гибридные ИМС

    7

    4.3. Совмещенные интегральные микросхемы

    8

    4.4. Сверхбольшие интегральные схемы

    8

    ЗАКЛЮЧЕНИЕ

    9

    ВВЕДЕНИЕ

    Изобретение микросхем началось с изучения свойств тонких оксидных плёнок, проявляющихся в эффекте плохой электропроводимости при небольших электрических напряжениях. Проблема заключалась в том, что в месте соприкосновения двух металлов не происходило электрического контакта или он имел полярные свойства. Глубокие изучения этого феномена привели к изобретению диодов, а позже транзисторов и интегральных микросхем.

    В 1958 году двое учёных, живущих в совершенно разных местах, изобрели практически идентичную модель интегральной схемы. Один из них, Джек «Килби», работал на «Texa sInstruments», другой, Роберт Нойс, был одним из основателей небольшой компании по производству полупроводников «Fairchild Semiconductor». Обоих объединил вопрос: «Как в минимум места вместить максимум компонентов?». Транзисторы, резисторы, конденсаторы и другие детали в то время размещались на платах отдельно, и учёные решили попробовать их объединить на одном монолитном кристалле из полупроводникового материала. Только «Килби» воспользовался германием, а Нойс предпочёл кремний. В 1959 году они отдельно друг от друга получили патенты на свои изобретения — началось противостояние двух компаний, которое закончилось мирным договором и созданием совместной лицензии на производство чипов. После того как в 1961 году «Fairchild Semiconductor Corporation» пустила интегральные схемы в свободную продажу, их сразу стали использовать в производстве калькуляторов и компьютеров вместо отдельных транзисторов, что позволило значительно уменьшить размер и увеличить производительность

    I. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

    Интегральные схемы - твердотельное устройство, содержащее группу приборов и их соединения (связи), выполненное на единой пластине (подложке). В интегральной схеме интегрируются пассивные элементы (ёмкости, сопротивления) и активные элементы, действие которых основано на различных физических явлениях. Внутренние связи интегральной схемы преобразуют множество приборов в функциональное устройство для целей информатики, преобразования различных видов энергии и робототехники.

    Часто под интегральной схемой понимают собственно кристалл или плё,нку с электронной схемой, а под микросхемой— ИС, заключённую в корпус.

    ИС подразделяются:

    1. по способу объединения (интеграции) элементов - на полупроводниковые, или монолитные (основной тип), пленочные и гибридные (в т. ч. многокристальные);

    2. по виду обрабатываемой информации - на цифровые и аналоговые;

    3. по степени интеграции элементов - на малые, ИС со средней степенью интеграции, большие (БИС) и сверхбольшие (СБИС).

    II. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС

    При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка — половина длины волны (определяется дифракционным пределом)), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины. Ввиду малости линейных размеров элементов микросхем, от использования видимого света, и даже ближнего ультрафиолета, при засветке давно отказались.

    В качестве характеристики технологического процесса производства микросхем указывают минимальные контролируемые размеры топологии фотоповторителя (контактные окна в оксиде кремния, ширина затворов в транзисторах и т. д.) и, как следствие, размеры транзисторов (и других элементов) на кристалле. Этот параметр, однако, находится во взаимозависимости с рядом других производственных возможностей: чистотой получаемого кремния, характеристиками инжекторов, методами фотолитографии, методами вытравливания и напыления.

    III. ПРОЦЕСС СБОРКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПО ТЕХНОЛОГИИ “ПЕРЕВЕРНУТОГО КРИСТАЛЛА”

    Эта технология предусматривает предварительное создание на планарной стороне кристалла с ИМС «шариковых выводов» или «контакт­ных выступов», которые представляют собой бугорки из меди, покрытые припоем или оловом. Такой кристалл располагают на поверхности подложки или на основании корпуса так, чтобы бугор­ки соприкасались с ней в определенных участках. Таким образом, кристалл переворачивается и его планарная сторона посредством бугорков контактирует с поверхностью основания корпуса.

    При кратковременном нагреве такой композиции происходит прочное соединение контактных выступов полупроводникового кристалла с основанием корпуса. Следует отметить, что те участки поверхности корпуса, с которыми соприкасаются «выступы», пред­варительно тоже обслуживается. Поэтому в момент нагрева проис­ходит соединение припоя основания корпуса с прием контактных вы­ступов

    На рис. 1, а) показан вариант присоединения кристалла ИМС, имеющего медные обслуженные контактные выступы, к подложке. Такая конструкция выводов не боится растекания припоя по подложке. Наличие высокого грибообразного выступа обеспечивает необходимый зазор между полупроводниковым кристаллом и подложкой при расплавлении припоя. Это позволяет проводить присоединение кристалла к подложке с высокой степенью точности.
    Рисунок 1. метод присоединения кристаллов ИМС


    На рис. 1, в) показан вариант сборки кристаллов, имеющих мягкие столбиковые выводы из припоя на основе олово-свинец.

    Рассмотренный метод присоединения кристаллов ИМС к основанию корпуса или к какой-либо плате позволяет в значительной степени механизировать и автоматизировать технологический процесс сборки
      1   2   3


    написать администратору сайта